【戈程资讯】索赔2亿元!中科院诉英特尔FinFET专利侵权案最新进展来了

近日,国家知识产权局专利局复审和无效审理部口头审理了一起专利号为201110240931.5的发明专利(下称涉案专利)无效宣告请求案,该案的请求人为英特尔(中国)有限公司(下称英特尔),专利权人是中国科学院微电子研究所(下称微电子所)。由于该消息与双方之间一起索赔额高达2亿元的专利侵权案有关,引发业界的广泛关注。

FinFET(Fin Field-Effect Transistor)中文名为鳍式场效应晶体管,广泛应用于集成电路制造上。涉案专利名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”,由微电子所于2011年8月22日提交专利申请。

因认为英特尔酷睿(Core)系列处理器侵犯了涉案专利的专利权,2018年2月,微电子所将由英特尔、戴尔(中国)有限公司和北京京东世纪信息技术有限公司诉至北京市高级人民法院,要求英特尔停止侵权,赔偿2亿元人民币,并承担诉讼费用,同时申请法院下达销售禁令。目前,该案正在进一步审理中。

英特尔针对涉案专利,在中国和美国提出了多次无效宣告请求,均被驳回或在审中。针对涉案专利的美国同族专利,2018年9月和2019年3月,英特尔先后两次向美国专利商标局(USPTO)提出无效宣告请求,均被驳回。

对于本次英特尔提出的无效宣告请求,即使是同族专利,在不同国家的授权范围也经常不同,而且主审机关也不同,所以不能假定中美无效程序的结果一定一致。在中国无效决定作出后,诉讼双方应该都会就案件情况和诉讼目标做综合分析,包括无效决定、非侵权抗辩的赢率等,双方和解的可能性还是存在的。

在FinFET领域,微电子所专利实力比较突出,国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示,微电子所专利申请数量在该领域排名第11位,而专利申请质量被评估为第一。在集成电路领域,微电子所集成电路先导工艺研发中心资料显示,该中心共提交国内外发明专利申请1475件(含国外发明专利申请389件),其中已获授权发明专利932件(含国外授权发明专利333件)。这些专利涵盖了集成电路制造技术代的主要技术领域,例如鳍式场效应晶体管(FinFET)、高k金属栅(HKMG)、源漏工艺等。

 摘自:CNIPA

2020年8月13日


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